Hersteller Produktnummer:
BFP 640FESD E6327
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFP 640FESD E6327-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP
Inventar:
12798740
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EINREICHEN
BFP 640FESD E6327 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
4.7V
Frequenz - Übergang
46GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gewinnen
8B ~ 30.5dB
Leistung - Max
200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
110 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
4-TSFP
Basis-Produktnummer
BFP 640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFP640FESDE6327CT
BFP 640FESD E6327TR-DG
SP000607096
BFP640FESDE6327
BFP 640FESD E6327DKR-DG
BFP640FESDE6327DKR
BFP 640FESD E6327CT-DG
BFP 640FESD E6327CT
BFP 640FESD E6327DKR
BFP640FESDE6327TR
BFP 640FESD E6327TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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